美光科技表示，目前只能满足关键客户50%至三分之二的需求，KB证券数据显示截至2026年2月主要客户内存芯片需求满足率仅约60%，服务器DRAM供应缺口低于50%。自2025年9月以来，DDR5芯片价格已暴涨近500%，短缺从高端HBM蔓延至整个存储器市场。花旗集团预测2026年DRAM与NAND闪存需求增速将达20.1%和21.4%，均高于17.5%和16.5%的供给增速，市场普遍预期供应短缺将持续至2027年。

　　在价格全面上涨推动下，存储巨头盈利预期持续上调。美光预计本季度毛利率将达68%，逼近英伟达盈利水平。SK海力士董事长透露，分析师对2026年营业利润平均预估已从去年底500亿美元升至700亿美元，部分机构上看超1000亿美元。伯恩斯坦报告预计2026年第四季DRAM毛利率可能达77%历史新高。

　　面对需求井喷，三大存储厂商同步启动史上最大规模产能扩张。美光宣布在美国本土投入总计2000亿美元，其中500亿美元扩建爱达荷州总部园区新建两座晶圆厂，首座预计2027年中量产DRAM，全部投产定于2028年底；同时在纽约州雪城启动1000亿美元晶圆厂园区，并于2025年底在日本广岛敲定96亿美元建厂计划。

　　SK海力士将龙仁一期晶圆厂试运行从原定2027年5月提前至2026年2至3月，该工厂规模相当于清州M15X晶圆厂6倍；投资超20万亿韩元的清州新M15X工厂已试营运，初期月产能约1万片，2026年底将扩至5.5万至6万片。三星电子计划2026年将HBM4用1c DRAM产能提升约170%，在平泽P4工厂新建DRAM生产线，预计2027年第一季度实现每月10万至12万片晶圆产能；在NAND领域，三星计划2026年第二季度在西安X2生产线扩产第九代V9 NAND，月产能增4万至5万片，SK海力士同期在清州M15工厂实现每月约3万片第九代321层NAND晶圆产能。

　　从产品价格看，HBM4最新报价约700美元，较HBM3E高出20%至30%，较2025年8月上涨近30%。SK海力士在HBM市场占据约60%主导地位，为英伟达AI加速器供能，2026年产能已全部售罄，DRAM及NAND库存仅剩约4周水位。三星电子凭借率先量产HBM4优势，今年有望占据全球HBM市场约30%份额。

　　尽管扩产规模空前，但新增产能难以短期内填补缺口。美光副总裁坦言“从未见过如此颠覆性需求爆发”，2026年增量主要依靠现有技术升级，供应增长极为有限，新建晶圆厂有效供给要到2028年后。SK海力士董事长警示技术快速更迭可能“轻易转成1000亿美元亏损”。伯恩斯坦报告指出即便2027年价格正常化，DRAM毛利率仍将维持在62%左右高位，HBM市场预计2026年位元出货量增长100%，2027年再增35%。

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