近期，全球存储芯片行业走势强劲，市场在AI算力爆发与产能结构性紧张的共同推动下持续震荡走高。行业普遍认为，供需失衡与价格上扬的态势仍将延续，存储芯片行业有望维持高景气度。

　　美光高管称存储短缺“前所未见”双线扩产应对缺口
　　近日，美光科技在纽约州奥农达加县总投资1000亿美元的巨型晶圆厂正式破土动工，该晶圆厂预计2030年启动生产，并在十年内逐步释放满产产能，成为其应对全球存储芯片短缺的核心布局之一。就在建厂消息公布次日，美光再传大动作，宣布以18亿美元现金收购力积电位于中国台湾苗栗县铜锣的P5晶圆厂厂房及厂务设施，同步敲定双方在DRAM晶圆后段封装与组装的长期合作，助力力积电精进利基型DRAM产品线。

　　美光科技运营执行副总裁Manish Bhatia在纽约晶圆厂奠基仪式后接受采访时直言，当前存储芯片短缺程度的确前所未见。他指出，过去一个季度短缺态势持续恶化，且供应紧张将延续至2026年之后，核心推手是AI基础设施建设对高端半导体的爆发式需求——制造AI加速器所需的高带宽内存（HBM）占用了行业大量产能，直接导致手机、个人电脑等传统领域陷入供给荒。据悉，美光2026年之前的AI内存芯片已全部售罄，此次收购的晶圆厂预计2027年下半年开始显著提升DRAM晶圆产出，成为缓解产能压力的关键补充。

　　强劲的市场需求推动美光业绩与市值飙升，过去三个月公司股价累计上涨86%，一年涨幅高达245%，市值快速突破4000亿美元，2025财年营收同比大幅增长至373.8亿美元，调整后每股收益飙升至8.29美元，展现出行业上行周期的强劲红利。

　　三星、SK海力士竞速升级押注HBF开辟新赛道
　　面对AI驱动的存储市场变革，三星、SK海力士两大韩国巨头亦加速工艺升级与产能扩张，同时聚焦新技术布局构建竞争壁垒。其中，三星已启动龙仁国家产业园项目，计划投资360万亿韩元建设六座晶圆厂，全面覆盖系统半导体晶圆代工与存储器半导体生产，项目将于2026年下半年开工，2031年前全部完工，形成规模化产能矩阵。

　　SK海力士则与闪迪联手发力高带宽闪存（HBF）领域，共同推进技术标准制定，首款产品HBF1预计采用16层NAND闪存堆叠工艺，2026年即可推出样品。作为HBM的迭代互补技术，HBF具备显著优势：存储容量可达现有HBM的8-16倍，单堆栈最高512GB、8堆栈总容量达4TB，带宽与HBM3持平，单位容量成本仅为HBM的15%-20%，能耗降低20%-36%，可与HBM形成“高速缓存+大容量存储”的AI存力体系，解决万亿参数大模型的数据存储瓶颈。

　　“HBM之父”、韩国科学技术院教授金正浩透露，三星与闪迪计划2027年底至2028年初将HBF技术落地于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。行业预测显示，HBM市场规模2030年将达120亿美元，2024-2030年复合增长率超35%，远期有望超越HBM成为AI存储主流形态。

　　涨价潮贯穿全年国产厂商抢抓扩产窗口期
　　AI需求的爆发式增长，推动全球存储芯片市场进入“超级周期”，涨价态势持续蔓延。集邦咨询预计，2026年第一季度一般型DRAM合约价将环比上涨55%至60%，NAND Flash各类产品合约价涨幅达33%至38%，其中服务器DRAM涨幅更超60%。Counterpoint Research则指出，当前存储市场行情已超越2018年历史高点，供应商议价能力达历史峰值，2026年一季度价格将再涨40%至50%，二季度延续20%左右涨幅。

　　供需失衡是涨价核心逻辑。需求端，AI服务器对存储的需求为传统服务器的8-10倍，NAND闪存需求更是提升至12倍以上，全球超15%人口使用AI带动算力与模型训练需求激增；供给端，三星、美光等巨头将80%产能转向HBM、DDR5等高毛利高端产品，传统存储产能收缩，且新增产能需经历漫长建设周期，最早2027年下半年才能释放，无法缓解2026年供需缺口。目前模组厂DRAM库存仅1个月，NAND库存1.5个月，原厂及代理商库存也仅2-2.5个月，低库存进一步助推价格攀升。

　　机构普遍看好AI存储产业链前景，开源证券指出半导体上游Fab、封测环节均存在涨价行情，平安证券则认为国内存储厂商扩产紧迫性上升，上游半导体设备领域将迎来投资机遇，国产存储产业正迎来关键发展窗口期。

　　存储行业产业链解析
　　存储行业产业链呈专业化分工格局，覆盖上中下游全链路，受AI算力需求爆发与国产替代浪潮驱动进入上行周期。上游为材料与设备环节，是产业基石，材料端雅克科技等企业垄断核心前驱体，设备端北方华创的刻蚀机实现国产突破；核心中游含芯片设计、制造及封测，设计领域兆易创新、澜起科技分别领跑NOR Flash与DDR5接口芯片，制造端长江存储、长鑫科技打破海外垄断，封测环节深科技、通富微电攻克HBM先进封装技术。下游通过江波龙、佰维存储等企业的模组制造，将芯片转化为SSD、内存条等产品，赋能AI服务器、智能汽车、消费电子等终端场景。全链条龙头依托技术壁垒与产能优势占据主导，国产企业正沿各环节加速突破，承接行业量价齐升红利。

　　存储行业未来发展趋势
　　存储行业已走出周期底部，进入由AI驱动的新一轮上行周期，呈现结构性变革态势。AI服务器成为核心驱动力，一台AI服务器所需DRAM容量是传统服务器的3-5倍以上，HBM与DDR5需求激增，企业级SSD同步迎来量价齐升。供给端头部原厂资本开支克制，聚焦先进制程，供需缺口持续扩大，推动存储价格进入上涨通道并具备持续性。国产存储迎来突围窗口，在模组、封测等环节机会清晰，逐步进入国际主流供应链。同时，商业航天开辟太空存储新赛道，宇航级特种存储需求攀升，技术边界不断拓展。整体来看，行业正从传统消费电子依赖转向AI与高端数据中心主导，伴随存算架构革新与国产替代深化，迎来高质量发展周期。

　　AI驱动全球存储芯片行业迈入“超级周期”
　　供需错配推动产品涨价幅度超预期。需求端，英伟达新一代Rubin AI平台新增大量内存需求，有望带动NAND需求进一步增长；供给端，海外头部厂商向高端芯片倾斜产能、削减传统产能，TrendForce预估26Q1一般型DRAM合约价季增55-60%，NANDFlash合约价上涨33-38%。同时，半导体设备自主可控诉求迫切，2026年国内晶圆制造设备综合本土化率有望提升至30%，叠加长鑫科技IPO推进及295亿元募资扩产计划，看好上游半导体设备投资机会，重点推荐量检测、刻蚀、薄膜沉积等领域国产龙头标的。

|  *免责声明：文章来源于网络，如有争议，请联系客服。