据TrendForce最新调查，AI推理应用正推动存储市场结构转变。随着HDD每GB均价从0.012–0.013美元升至0.015–0.016美元，成本优势减弱，促使NAND Flash供应商加速开发大容量Nearline SSD。

　　技术方面，NAND Flash通过3D堆叠向200层以上发展，积极投入122TB乃至245TB等超大容量Nearline SSD生产，预计2026年2Tb QLC芯片将逐步放量，成为降低成本关键。

　　性能上，SSD在AI推理中IOPS达HDD数百至数千倍，延迟仅为微秒级，远低于HDD的毫秒级；每TB功耗亦显著更低，长期可为数据中心节省可观电费、冷却与空间成本。

　　这一趋势为NAND Flash供应商带来新增长动力。各厂商正将投资重心转向高密度QLC产品，不仅满足当前需求，更着眼于未来数据中心存储架构主导权。尽管HDD在完成HAMR技术升级后仍有降本空间，但NAND Flash凭借成本下降速度与产能弹性，预计将持续扩大其在AI存储领域的市场份额。

　　全球NAND闪存供应紧张，价格预计上涨逾20%且缺货将延续至明年：

　　云端服务供应商（CSP）及AI数据中心需求正推动存储市场出现多品类同步缺货。威刚董事长陈立白指出，当前DDR4、DDR5、NAND Flash及硬盘均供应紧张，其中NAND Flash缺货预计将持续至明年上半年。

　　价格呈现明显上涨趋势，随着三星、SK海力士及美光停产DDR4，DDR4价格涨幅将领跑各类产品。韩国品牌新合约价预计上调20%至30%，TrendForce也预测今年第四季度NAND闪存价格将环比上涨5%至10%。

　　库存数据反映供应紧张，陈立白透露，第四季度存储器上游库存仅维持约2周水位，为十多年来罕见低位。威刚计划将库存从约新台币100多亿元提升至200亿元以应对短缺。

　　需求端持续强劲，铠侠预计AI数据中心对NAND存储的需求年增速约20%，并计划在五年内将其北上和四日市工厂的存储产能提高一倍。此轮复苏由AI基础设施投资与传统服务器更换周期共同推动，市场供需失衡预计将持续未来数季。

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